Vnútorná štruktúra diódy s rýchlou obnovou sa líši od bežnej PN prechodovej diódy, ktorá patrí k PIN prechodovej dióde, tj oblasť bázy I je pridaná do stredu silikónového materiálu typu P a silikónového materiálu typu N, aby sa vytvoril PIN. kremíkový plátok. Pretože základná oblasť je veľmi tenká, náboj spätného zotavenia je veľmi malý, takže čas spätného zotavenia diódy rýchleho zotavenia je kratší, pokles napätia vpred je nižší a spätné prierazné napätie (hodnota výdržného napätia) je vyššie.