IGBT (Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom) je zložený z MOS (tranzistor s izolovaným hradlovým poľom) a BJT (bipolárny tranzistor). Je to výkonové polovodičové zariadenie poháňané napätím. IGBT môže byť jedno samostatné zariadenie alebo modul, pričom každý druh má svoj vlastný rozsah aplikácií. V priemysle sa používa pri riadení dopravy, konverzii energie, priemyselných motoroch, neprerušiteľných zdrojoch UPS, zariadeniach na napájanie veterných turbín a solárnej energii, frekvenčných meničoch atď. V spotrebnej elektronike sa používa v domácich spotrebičoch, nabíjacích hromadách, elektrických vozidlách , elektrické náradie atď.